SUBSTRATE PROCESSING DEVICE

The purpose of the present invention is to subject a substrate to different types of processing without requiring an addition of a new device or an increase in tact time. Provided is a substrate manufacturing method comprising a substrate processing step of subjecting a substrate (8) to processing u...

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1. Verfasser: ASANO, Hiromitsu
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:The purpose of the present invention is to subject a substrate to different types of processing without requiring an addition of a new device or an increase in tact time. Provided is a substrate manufacturing method comprising a substrate processing step of subjecting a substrate (8) to processing using a processing liquid (22) in which, by controlling the magnitude of a gap (16) between the substrate (8) and a cover (4) covering a nozzle (6) for spraying the processing liquid (22) from above the substrate (8), accumulation on the substrate (8) of the processing liquid (22) having been sprayed from the nozzle (6) is controlled. Le but de la présente invention est de soumettre un substrat à différents types de traitement sans nécessiter l'ajout d'un nouveau dispositif ou d'une augmentation du temps de fabrication. L'invention concerne un procédé de fabrication de substrat comprenant une étape de traitement de substrat consistant à soumettre un substrat (8) à un traitement à l'aide d'un liquide de traitement (22) dans lequel, en régulant l'amplitude d'un espace (16) entre le substrat (8) et un couvercle (4) recouvrant une buse (6) pour pulvériser le liquide de traitement (22) depuis le dessus du substrat (8), l'accumulation sur le substrat (8) du liquide de traitement (22) ayant été pulvérisé à partir de la buse (6) est commandée. 新たな装置の追加およびタクトタイムの増加を必要とせずに、異なる種類の処理を基板に対し行うことを目的として、基板(8)と、処理液(22)を前記基板(8)の上方から散布するノズル(6)を覆うカバー(4)との間隙(16)の大きさを制御することにより、前記ノズル(6)から散布された、前記基板(8)上における前記処理液(22)の貯留を制御し、前記基板(8)に対して、前記処理液(22)による処理を行う基板処理工程を備えた基板製造方法を提供する。