SPUTTERING SYSTEM AND METHOD FOR FORMING A METAL LAYER ON A SEMICONDUCTOR DEVICE

A method for sputtering an aluminum layer on a surface of a semiconductor device is presented. The method includes three sputtering steps for depositing the aluminum layer, where each sputtering step includes at least one sputtering parameter that is different from a corresponding sputtering paramet...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	KENNERLY, Stacey Joy, TORRES, Victor, DUDOFF, Gregory Keith, GOSSMAN, Robert Dwayne, LILIENFELD, David
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	A method for sputtering an aluminum layer on a surface of a semiconductor device is presented. The method includes three sputtering steps for depositing the aluminum layer, where each sputtering step includes at least one sputtering parameter that is different from a corresponding sputtering parameter of another sputtering step. The surface of the semiconductor device includes a dielectric layer having a plurality of openings formed through the dielectric layer. L'invention concerne un procédé de pulvérisation d'une couche d'aluminium sur une surface d'un dispositif à semi-conducteur. Le procédé comprend trois étapes de pulvérisation pour déposer la couche d'aluminium, chaque étape de pulvérisation comprenant au moins un paramètre de pulvérisation qui est différent d'un paramètre de pulvérisation correspondant d'une autre étape de pulvérisation. La surface du dispositif à semi-conducteur comprend une couche diélectrique ayant une pluralité d'ouvertures formées à travers la couche diélectrique.