SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

The present disclosure relates to a method for manufacturing a semiconductor light emitting device, the method comprising: a step for forming an insulation region between a plurality of semiconductor layers to divide the plurality of semiconductor layers into a first light emitting part having a first light emitting region and a second light emitting part having a second light emitting region, wherein the plurality of semiconductor layers are configured by sequentially stacking a first semiconductor layer having a first conductivity, an active layer for generating light through the recombination of an electron and a hole, and a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity; a step for forming a light absorption prevention film on the insulation region and on at least some regions of the second semiconductor layer; a step for mesa-etching the active layer and the remaining regions of the second semiconductor layer, thereby forming a light transmissive conductive film to cover the light absorption prevention film; a step for forming a connection electrode that electrically connects the neighboring first and second light emitting parts; a step for forming a reflective layer to cover the plurality of semiconductor layers and the connection electrode; and a step for forming an electrode part that is formed on the reflective layer and electrically connected to the plurality of semiconductor layers. La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif électroluminescent à semi-conducteur, le procédé comprenant : une étape consistant à former une région d'isolation entre une pluralité de couches semi-conductrices pour diviser la pluralité de couches semi-conductrices en une première partie d'émission de lumière ayant une première région d'émission de lumière et une seconde partie d'émission de lumière ayant une seconde région d'émission de lumière, la pluralité de couches semi-conductrices étant configurée par empilement séquentiel d'une première couche semi-conductrice ayant une première conductivité, d'une couche active pour générer de la lumière par recombinaison d'un électron et d'un trou, et d'une seconde couche semi-conductrice ayant une seconde conductivité différente de la première conductivité ; une étape consistant à former un film de prévention d'absorption de lumière sur la région d'isolation et sur au moins certaines régions de la seconde couche semi-conductrice ; une étape de gravure