ROW REDUNDANCY WITH DISTRIBUTED SECTORS

Techniques for flash memory with row redundancy are described herein. In an example embodiment, a semiconductor device comprises an embedded flash memory. The embedded flash memory comprises a memory bank that includes multiple physical sectors, where each physical sector comprises a plurality of erase sectors. In the memory bank, multiple portions of an additional erase sector are respectively distributed among the multiple physical sectors. The multiple portions of the additional erase sector are configured as a row-redundancy sector for the memory bank. L'invention concerne des techniques destinées à une mémoire flash avec une redondance de rangée. Selon un mode de réalisation donné à titre d'exemple, un dispositif semi-conducteur comprend une mémoire flash intégrée. La mémoire flash intégrée comprend une banque de mémoire qui comprend de multiples secteurs physiques, chaque secteur physique comprenant une pluralité de secteurs d'effacement. Dans la banque de mémoire, de multiples parties d'un secteur d'effacement supplémentaire sont respectivement distribuées parmi les multiples secteurs physiques. Les multiples parties du secteur d'effacement supplémentaire sont configurées sous la forme d'un secteur de redondance de rangée destiné à la banque de mémoire.