COMPONENT HAVING A BUFFER LAYER AND METHOD FOR PRODUCING A COMPONENT

Es wird ein Bauteil (100) mit einem Halbleiterchip (10), einer Pufferschicht (3), einer Verbindungsschicht (4) und einem metallischen Träger (9) angegeben. Der Halbleiterchip umfasst ein Substrat (1) und einen darauf angeordneten Halbleiterkörper (2). Der metallische Träger weist einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten auf, der mindestens 1,5-mal so groß ist wie ein thermischer Ausdehnungskoeffizient des Substrats oder des Halbleiterchips, oder umgekehrt. Der Halbleiterchip ist mittels der Verbindungsschicht auf dem metallischen Träger derart befestigt, dass die Pufferschicht zwischen dem Halbleiterchip und der Verbindungsschicht angeordnet ist, wobei der Halbleiterchip an die Pufferschicht angrenzt. Bevorzugt weist die Pufferschicht eine Fließspannung auf, die mindestens 10 MPa ist und höchstens 300 MPa beträgt. Die Pufferschicht weist eine vertikale Schichtdicke zwischen einschließlich 2 µm und 10 µm auf. Die Pufferschicht grenzt insbesondere an den Halbleiterchip an und ist so als Teil des Halbleiterchips ausgebildet. Bevorzugt weisen das Substrat und der metallische Träger jeweils eine größere Fließspannung auf als die Pufferschicht. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauteils angegeben. The invention relates to a component (100), comprising a semiconductor chip (10), a buffer layer (3), a connecting layer (4) and a metal carrier (9). The semiconductor chip comprises a substrate (1) and a semiconductor body (2) arranged thereon. The metal carrier has a coefficient of thermal expansion that is at least 1.5 times as great as a coefficient of thermal expansion of the substrate or of the semiconductor chip, or vice versa. The semiconductor chip is fastened on the metal carrier by means of the connecting layer in such a way that the buffer layer is arranged between the semiconductor chip and the connecting layer, the semiconductor chip adjoining the buffer layer. The buffer layer preferably has a yield stress that is at least 10 MPa and at most 300 MPa. The buffer layer has a vertical layer thickness of 2 µm to 10 µm, inclusive. The buffer layer adjoins in particular the semiconductor chip and is thus designed as part of the semiconductor chip. The substrate and the metal carrier preferably each have a greater yield stress than the buffer layer. The invention further relates to a method for producing such a component. L'invention concerne un composant (100) comprenant une puce semi-conductrice (10), une couche tampon (3), une c