SEMICONDUCTOR WAFER MADE OF MONOCRYSTALLINE SILICON AND METHOD FOR PRODUCING THE SEMICONDUCTOR WAFER

Epitaktisch beschichtete Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium und Verfahren zur Herstellung einer p/p+ epitaktisch beschichteten Halbleiterscheibe. Die epitaktisch beschichtete Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium umfasst eine p+-dotierte Substratscheibe; eine p-dotierte epitaktische Schicht aus einkristallinem Silizium, die eine obere Seitenfläche der Substratscheibe bedeckt; eine Sauerstoff-Konzentration der Substratscheibe von nicht weniger als 5,3 x 1017 Atome/cm3 und nicht mehr als 6,0 x 1017 Atome/cm3; eine Resistivität der Substratscheibe von nicht weniger als 5 mΩcm und nicht mehr als 10 mΩcm; und das Potenzial der Substratscheibe in Folge einer Wärmebehandlung der epitaktisch beschichteten Halbleiterscheibe BMDs auszubilden, wobei die Dichte an BMDs bestimmte Eigenschaften aufweist. The invention relates to an epitaxially coated semiconductor wafer made of monocrystalline silicon and to a method for producing a p/p+ epitaxially coated semiconductor wafer. The epitaxially coated semiconductor wafer made of monocrystalline silicon comprises: a p+-doped substrate layer; a p-doped epitaxial layer made of monocrystalline silicon, which covers a top side surface of the substrate layer; an oxygen concentration of the substrate layer of no less than 5.3 x 1017 atoms/cm3 and no more than 6.0 x 1017 atoms/cm3; a resistivity of the substrate layer of no less than 5 mΩcm and no more than 10 mΩcm; and the potential of the substrate layer, following heat treatment of the epitaxially coated semiconductor wafer, to form BMDs, the BMD density having certain properties. L'invention concerne une plaquette de semi-conducteur, revêtue par épitaxie, en silicium monocristallin et un procédé de fabrication d'une plaquette de semi-conducteur revêtue par épitaxie p/p+. La plaquette de semi-conducteur, revêtue par épitaxie, en silicium monocristallin comprend une plaquette de substrat dopée p ; une couche épitaxiale dopée p en silicium monocristallin qui recouvre une surface latérale supérieure de la plaquette de substrat ; et a une concentration en oxygène de la plaquette de substrat d'au moins 5,3 x 10 17 atomes/cm3 et d'au plus 6,0 x 10 17 atomes/cm3; une résistivité de la plaquette de substrat d'au moins 5 mΩcm et d'au plus 10 mΩcm ; et le potentiel de la plaquette de substrat à former des BMD à la suite d'un traitement thermique de la plaquette de semi-conducteur revêtue par épitaxie, la densité de BMD ayant des propriétés déterminées.