EMBEDDED NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND FABRICATION METHOD OF THE SAME

Systems and methods of forming such include method, forming a memory gate (MG) stack in a first region, forming a sacrificial polysilicon gate on a high-k dielectric in a second region, wherein the first and second regions are disposed in a single substrate. Then a select gate (SG) may be formed adjacent to the MG stack in the first region of the semiconductor substrate. The sacrificial polysilicon gate may be replaced with a metal gate to form a logic field effect transistor (FET) in the second region. The surfaces of the substrate in the first region and the second region are substantially co-planar. La présente invention concerne des systèmes et des procédés consistant à former un empilement de grille de mémoire (MG) dans une première région, et à former une grille de polysilicium sacrificielle sur un diélectrique à constante diélectrique élevée dans une seconde région, les première et seconde régions se trouvant dans un seul substrat. Ensuite, une grille de sélection (SG) peut être formée adjacente à l'empilement de MG dans la première région du substrat semi-conducteur. La grille de polysilicium sacrificielle peut être remplacée par une grille métallique de manière à former un transistor à effet de champ logique (FET) dans la seconde région. Les surfaces du substrat dans les première et seconde régions sont sensiblement coplanaires.