COBALT FILLING OF INTERCONNECTS

Compositions and methods of using such compositions for electroplating cobalt onto semiconductor base structures comprising submicron-sized electrical interconnect features are provided herein. The interconnect features are metallized by contacting the semiconductor base structure with an electrolytic composition comprising a source of cobalt ions, a suppressor, a buffer, and one or more of a depolarizing compound and a uniformity enhancer. Electrical current is supplied to the electrolytic composition to deposit cobalt onto the base structure and fill the submicron-sized features with cobalt. The method presented herein is useful for superfilling interconnect features. L'invention concerne des compositions et des procédés d'utilisation de telles compositions pour le dépôt électrolytique de cobalt sur des structures de base semi-conductrices comprenant des éléments d'interconnexion électrique de taille submicronique. Les éléments d'interconnexion sont métallisés par mise en contact de la structure de base semi-conductrice avec une composition électrolytique comprenant une source d'ions cobalt, un suppresseur, un tampon, et un ou plusieurs composés parmi un composé dépolarisant et un renforçateur d'uniformité. Un courant électrique est appliqué à la composition électrolytique pour déposer du cobalt sur la structure de base et remplir de cobalt les éléments de taille submicronique. Le procédé présenté ici est utile pour sur-remplir des éléments d'interconnexion.