MAGNETIC TUNNELING JUNCTION DEVICES WITH SIDEWALL GETTER

MTJ material stacks including one or more material layers that have outdiffused one or more dopants through a layer sidewall edge, MTJ devices employing such stacks, and computing platforms employing such MTJ devices. A free magnet layer or fixed magnet layer may include a dopant, such as boron. A liner layer may be deposited over an MTJ stack, for example in close proximity to the edge of at least one of the fixed or free magnet layers. During a thermal anneal, a dopant, such as boron, may be gettered by the liner. Dopant gettering by the liner may facilitate changes with in the MTJ stack, such as development of perpendicular magnetic anisotropy within a magnet layer. Following dopant gettering, the liner may be retained, or at least partially removed as sacrificial. L'invention concerne des empilements de matériaux MTJ (jonction à effet tunnel magnétique) comprenant une ou plusieurs couches de matériaux ayant répandu un ou plusieurs dopants par un bord de paroi latérale de couche, des dispositifs MTJ utilisant de tels empilements et des plateformes informatiques utilisant de tels dispositifs MTJ. Une couche d'aimant libre ou une couche d'aimant fixe peut comprendre un dopant tel que le bore. Une couche de revêtement peut être déposée sur un empilement MTJ, par exemple à proximité immédiate du bord d'au moins l'une des couches magnétiques fixes ou libres. Pendant un recuit thermique, un dopant, tel que le bore, peut être absorbé par le revêtement. L'absorption de dopant par le revêtement peut faciliter les changements dans l'empilement MTJ, tels que le développement d'une anisotropie magnétique perpendiculaire à l'intérieur d'une couche d'aimant. Après l'absorption du dopant, le revêtement peut être conservé ou au moins partiellement retiré comme sacrificiel.