OPTOELECTRONIC DEVICE

The invention relates to an optoelectronic device (40) comprising: a support (46); blocks (52) of a semiconductor material, resting on the support and each comprising a first face (54) on the side opposite the support and each comprising side walls (56); a nucleation layer (58) on each first face; a first insulating layer (60, 62) covering each nucleation layer and comprising an opening (64) exposing part of the nucleation layer; a semiconductor element (72) resting on each first insulating layer and in contact with the nucleation layer covered by the first insulating layer in the opening; a shell (74) covering each semiconductor element and comprising an active layer adapted to emit or absorb electromagnetic radiation; and a first conductive layer (80), reflecting the radiation, extending between the semiconductor elements and extending over at least one part of the side walls of the blocks. L'invention concerne un dispositif optoélectronique (40) comprenant: un support (46); des blocs (52) d'un matériau semiconducteur, reposant sur le support et comprenant chacun une première face (54) du côté opposé au support et des parois latérales (56); une couche de nucléation (58) sur chaque première face; une première couche isolante (60, 62) recouvrant chaque couche de nucléation et comprenant une ouverture (64) exposant une partie de la couche de nucléation; un élément semiconducteur (72) reposant sur chaque première couche isolante et au contact de la couche de nucléation recouverte par la première couche isolante dans l'ouverture; une coque (74) recouvrant chaque élément semiconducteur et comprenant une couche active adaptée à émettre au absorber un rayonnement électromagnétique; et une première couche conductrice (80), réfléchissant le rayonnement, s'étendant entre les éléments semiconducteurs et s'étendant sur au moins unepartie des parois latérales des blocs.