TIMING CONTROLLER FOR DEAD-TIME CONTROL

Systems, methods, and apparatus for use in biasing and driving high voltage semiconductor devices (T1, T2) using only low voltage transistors (inside 410) are described. The apparatus (410) and method are adapted to control multiple high voltage semiconductor devices (T1, T2) to enable high voltage power control, such as power amplifiers, power management and conversion (e.g. DC/DC) and other applications wherein a first voltage (Vin) is large compared to the maximum voltage handling of the low voltage control transistors (Vdd1, Vdd2). According to an aspect, timing control of edges (fig. 4: 215, fig.14a: 1410 ) of a control signal (IN) to the high voltage semiconductor devices (T1, T2) is provided by a basic edge delay circuit (fig. 4: inside 215, fig. 14a: 1410) that includes a transistor, a current source and a capacitor. An inverter can be selectively coupled, via a switch, to an input and/or an output of the basic edge delay circuit to allow for timing control of a rising edge or a falling edge of the control signal. La présente invention concerne des systèmes, des procédés et un appareil destinés à être utilisés pour solliciter et piloter des dispositifs semi-conducteurs à haute tension (T1, T2) en utilisant uniquement des transistors à basse tension (à l'intérieur de 410). L'appareil (410) et le procédé sont adaptés pour commander de multiples dispositifs semi-conducteurs à haute tension (T1, T2) de manière à permettre une commande de puissance à haute tension, tels des amplificateurs de puissance, et à permettre une gestion et une conversion de puissance (par exemple CC/CC) ainsi que d'autres applications, une première tension (Vin) étant importante par rapport à la gestion de tension maximale des transistors de commande à basse tension (Vdd1, Vdd2). Selon un aspect, une commande de synchronisation des fronts (fig. 4: 215, fig.14a: 1410) d'un signal de commande(IN) à destination des dispositifs semi-conducteurs à haute tension (T1, T2) est assurée par un circuit de retard des fronts de base (fig. 4: à l'intérieur de 215, fig. 14a: 1410)qui comprend un transistor, une source de courant et un condensateur. Un onduleur peut être couplé sélectivement, par l'intermédiaire d'un commutateur, à une entrée et/ou à une sortie du circuit de retard des fronts de base de façon à permettre une commande de synchronisation d'un front montant ou d'un front descendant du signal de commande.