SOLAR BATTERY CELL AND SOLAR BATTERY MODULE

The present invention comprises: a semiconductor substrate (11) that has a p-n junction; a light-receiving surface bus electrode (12B) that is provided extending in a first direction on a light-receiving surface side of the semiconductor substrate (11); and a plurality of back surface connection electrodes (13B) that are provided distributed along the first direction on a back surface side of the semiconductor substrate (11), said back surface side facing toward the opposite side from the light-receiving surface. A plurality of through holes (60) that pass through in a thickness direction of the light-receiving surface bus electrode are provided in the light-receiving surface bus electrode (12B) along the first direction, and the back surface connection electrodes (13B) are positioned in locations facing a region of the light-receiving surface bus electrode (12B) in a thickness direction of the semiconductor substrate (11), said region excluding the plurality of through holes (60). La présente invention comprend : un substrat semi-conducteur (11) qui a une jonction p-n ; une électrode de bus (12B) de surface de réception de lumière qui est disposée de sorte à s'étendre dans une première direction sur un côté surface de réception de lumière du substrat semi-conducteur (11) ; et une pluralité d'électrodes de connexion (13B) de surface arrière qui sont disposées de manière répartie le long de la première direction sur un côté surface arrière du substrat semi-conducteur (11), ledit côté surface arrière faisant face au côté opposé à la surface de réception de lumière. Une pluralité de trous traversants (60) qui traversent le sens de l'épaisseur de l'électrode de bus de surface de réception de lumière sont ménagés dans l'électrode de bus (12B) de surface de réception de lumière le long de la première direction, et les électrodes de connexion (13B) de surface arrière sont positionnées dans des emplacements faisant face à une région de l'électrode de bus (12B) de surface de réception de lumière dans le sens de l'épaisseur du substrat semi-conducteur (11), ladite région excluant la pluralité de trous traversants (60). ｐｎ接合を有する半導体基板（１１）と、半導体基板（１１）における受光面側において第１の方向に延在して設けられた受光面バス電極（１２Ｂ）と、半導体基板（１１）における受光面と反対側を向く裏面側において第１の方向に沿って分散配置されて設けられた複数の裏面接続電極（１３Ｂ）と、を備える。受光面バス電極（１２Ｂ）は、受光面バス電極の厚み方向に貫通した複数の貫通孔（６０）が第１の方向に沿って設けられ、裏面接続電極（１３Ｂ）は、受光面バス電極（１２Ｂ）における複数の貫通孔（６０）を除いた領域と半導体基板（１１）の厚み方向において相対する位置に配置されている。