SEMICONDUCTOR DEVICE WITH RECESSED CHANNEL ARRAY TRANSISTOR (RCAT) INCLUDING A SUPERLATTICE AND ASSOCIATED METHODS

A semiconductor device may include a substrate, at least one memory array comprising a plurality of recessed channel array transistors (RCATs) on the substrate, and periphery circuitry adjacent the at least one memory array and including a plurality of complementary metal oxide (CMOS) transistors on the substrate. Each of the CMOS transistors may include spaced-apart source and drain regions in the substrate and defining a channel region therebetween, a superlattice extending between the source and drain regions in the channel region, and a gate over the superlattice and between the source and drain regions. The superlattice may include a plurality of stacked groups of layers, with each group of layers including a plurality of stacked base semiconductor monolayers defining a base semiconductor portion, and at least one non-semiconductor monolayer constrained within a crystal lattice of adjacent base semiconductor portions. La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs qui peut comprendre un substrat, au moins un réseau de mémoires comprenant une pluralité de transistors à réseau de canaux en retrait (RCAT pour Recessed Channel Array Transistor) sur le substrat, et des circuits périphériques adjacents au ou aux réseaux de mémoires et comprenant une pluralité de transistors à oxyde métallique complémentaire (CMOS) sur le substrat. Chacun des transistors CMOS peut comprendre des régions de source et de drain espacées dans le substrat et définissant une région de canal entre ces dernières, un super-réseau s'étendant entre les régions de source et de drain dans la région de canal, et une grille sur le super-réseau et entre les régions de source et de drain. Le super-réseau peut comprendre une pluralité de groupes empilés de couches, chaque groupe de couches comprenant une pluralité de monocouches de base semi-conductrices empilées définissant une partie semi-conductrice de base, et au moins une monocouche non semi-conductrice contrainte à l'intérieur d'un réseau cristallin de parties semi-conductrices de base adjacentes.