PATTERN FORMING METHOD AND COMPOSITION FOR FORMING SILICON-CONTAINING FILM FOR EUV LITHOGRAPHY

Provided are: a pattern forming method capable of forming a silicon-containing film having an excellent ability to suppress resist pattern collapse; and a silicon-containing film-forming composition. The present invention pertains to a pattern forming method comprising: a step for coating a silicon-containing film-forming composition on at least one face of a substrate; a step for coating a resist film-forming composition on the reverse side of the substrate-side of a silicon-containing film formed in the step for coating the silicon-containing film-forming composition; a step in which a resist film formed in the step for coating the resist film-forming composition is exposed to extreme ultraviolet radiation or an electron beam; and a step for developing the exposed resist film, wherein the silicon-containing film-forming composition contains a solvent and a compound having a first structural unit represented by formula (1). In formula (1), R1 is a substituted or unsubstituted C1-20 divalent hydrocarbon group, and X and Y are, each independently, a hydrogen atom, a hydroxyl group, a halogen atom, or a C1-20 monovalent organic group. L'invention concerne : un procédé de formation de motif permettant de former un film contenant du silicium ayant une excellente aptitude à supprimer l'affaissement de motif de réserve ; et une composition de formation de film contenant du silicium. La présente invention concerne un procédé de formation de motif comprenant : une étape consistant à revêtir au moins une face d'un substrat d'une composition de formation de film contenant du silicium ; une étape consistant à revêtir le côté opposé du côté substrat d'un film contenant du silicium formé à l'étape de revêtement de la composition de formation de film contenant du silicium de la composition de formation de film de réserve ; une étape consistant à exposer un film de réserve formé à l'étape de revêtement de la composition de formation de film de réserve à un rayonnement ultraviolet extrême ou à un faisceau d'électrons ; et une étape consistant à développer le film de réserve exposé, la composition de formation de film contenant du silicium contenant un solvant et un composé comportant une première unité structurale représentée par la formule (1). Dans la formule (1), R1 représente un groupe hydrocarboné divalent en C1-20 substitué ou non substitué, et X et Y correspondent individuellement indépendamment à un atome d'hydrogène, un groupe hydroxyle, un atome d'halogène, ou u