ENERGY CONTROLLER FOR EXCIMER-LASER SILICON CRYSTALLIZATION

Excimer laser annealing apparatus (40) includes an excimer laser (42) delivering laser-radiation pulses to a silicon layer (58) supported on a substrate translated with respect to the laser pulses such that the consecutive pulses overlap on the substrate. The energy of each of the laser-radiation pulses is monitored, transmitted to control-electronics (48), and the energy of a next laser pulse is adjusted by a high- pass digital filter (62). L'appareil de recuit au laser à excimère (40) de l'invention comprend un laser à excimère (42) qui envoie des impulsions de rayonnement laser à une couche de silicium (58) portée sur un substrat translaté par rapport aux impulsions laser, de sorte que les impulsions consécutives se chevauchent sur le substrat. L'énergie de chaque impulsion de rayonnement laser est surveillée, transmise à l'électronique de commande (48), et l'énergie d'une impulsion laser suivante est régulée par un filtre numérique passe-haut (62).