ELECTROSTATIC CHUCK FOR USE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING

A semiconductor substrate processing apparatus includes a vacuum chamber having a processing zone in which a semiconductor substrate may be processed, a process gas source in fluid communication with the vacuum chamber for supplying a process gas into the vacuum chamber, a showerhead module through which process gas from the process gas source is supplied to the processing zone of the vacuum chamber, and a substrate pedestal module. The substrate pedestal module includes a platen made of ceramic material having an upper surface configured to support a semiconductor substrate thereon during processing, a stem made of ceramic material, and coplanar electrodes embedded in the platen, the electrodes including an outer RF electrode and inner electrostatic clamping electrodes, the outer RF electrode including a ring-shaped electrode and a radially extending lead extending from the ring-shaped electrode to a central portion of the platen, wherein the ceramic material of the platen and the electrodes comprise a unitary body made in a single sintering step. L'invention concerne un appareil de traitement de substrat semi-conducteur comprenant une chambre à vide ayant une zone de traitement dans laquelle un substrat semi-conducteur peut être traité, une source de gaz de traitement en communication fluidique avec la chambre à vide pour fournir un gaz de traitement dans la chambre à vide, un module de diffuseur à travers lequel le gaz de traitement provenant de la source de gaz de traitement est fourni à la zone de traitement de la chambre à vide, et un module support de substrat. Le module support de substrat comprend un plateau en matériau céramique ayant une surface supérieure configurée pour supporter un substrat semi-conducteur sur celui-ci pendant le traitement, une tige en matériau céramique, et des électrodes coplanaires intégrées dans le plateau, les électrodes comprenant une électrode RF externe et des électrodes de serrage électrostatique internes, l'électrode RF externe comprenant une électrode en forme d'anneau et un fil s'étendant radialement s'étendant de l'électrode en forme d'anneau à une partie centrale du plateau, le matériau céramique du plateau et les électrodes comprenant un corps unitaire réalisé dans une unique étape de frittage.