ETCHING METHOD

Provided is an etching method having: a step for disposing a substrate to be processed in a chamber, the substrate having a silicon nitride film, a silicon oxide film, silicon, and silicon germanium; a step for bringing the pressure inside the chamber to 1,333 Pa or more; and a step for supplying hydrogen fluoride gas into the chamber and selectively etching the silicon nitride film with respect to the silicon oxide film, the silicon, and the silicon germanium. L'invention concerne un procédé de gravure comportant : une étape consistant à disposer un substrat à traiter dans une chambre, le substrat comportant un film de nitrure de silicium, un film d'oxyde de silicium, du silicium et du silicium-germanium ; une étape consistant à amener la pression à l'intérieur de la chambre à une valeur supérieure ou égale à 1 333 Pa ; et une étape consistant à alimenter la chambre en fluorure d'hydrogène gazeux et à graver sélectivement le film de nitrure de silicium par rapport au film d'oxyde de silicium, au silicium et au silicium-germanium. エッチング方法は、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、シリコンおよびシリコンゲルマニウムを有する被処理基板をチャンバー内に配置する工程と、チャンバー内の圧力を１３３３Ｐａ以上にする工程と、チャンバー内にフッ化水素ガスを供給し、窒化シリコン膜を、酸化シリコン膜、シリコンおよびシリコンゲルマニウムに対して選択的にエッチングする工程とを有する。