SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLID-STATE IMAGING DEVICE

The present invention provides a technology which is capable of suppressing noise charges. According to the present invention, each unit pixel (10) is provided with: a photodiode unit (130); a first charge transfer unit (103A); a charge holding unit (131); a second charge transfer unit (103B); and a charge discharging unit (180). Semiconductor substrate surfaces of the photodiode unit (130), the first charge transfer unit (103A), the charge holding unit (131), the second charge transfer unit (103B), and the charge discharging unit (180) are all covered with a second conductivity-type semiconductor region. La présente invention concerne une technologie qui permet de supprimer des charges de bruit. Selon la présente invention, chaque pixel unitaire (10) comprend : une unité photodiode (130) ; une première unité de transfert de charge (103A) ; une unité de maintien de charge (131) ; une seconde unité de transfert de charge (103B) ; et une unité de décharge de charge (180). Des surfaces de substrat semi-conducteur de l'unité photodiode (130), de la première unité de transfert de charge (103A), de l'unité de maintien de charge (131), de la seconde unité de transfert de charge (103B) et de l'unité de décharge de charge (180) sont toutes recouvertes d'une région semi-conductrice d'un second type de conductivité. ノイズ電荷を抑制することができる技術を提供する。単位画素（１０）の各々が、フォトダイオード部（１３０）と、第１の電荷転送部（１０３Ａ）と、電荷保持部（１３１）と、第２の電荷転送部（１０３Ｂ）と、電荷排出部（１８０）を備え、フォトダイオード部（１３０）、第１の電荷転送部（１０３Ａ）、電荷保持部（１３１）、第２の電荷転送部（１０３Ｂ）、および、電荷排出部（１８０）の半導体基板表面が全て第２導電型半導体領域で覆われている。