SEMICONDUCTOR APPARATUS

A semiconductor apparatus (200, 300) comprising a silicon substrate layer (210) at least portion of which is doped with dopants of a conductivity type; and at least one insulator layer (220) formed above the silicon substrate layer (210), wherein the at least one insulator layer (220) and the dopant...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	TUOVINEN, Esa, RANTAKARI, Pekka, VILJANEN, Heikki, VÄHÄ-HEIKKILÄ, Tauno
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	A semiconductor apparatus (200, 300) comprising a silicon substrate layer (210) at least portion of which is doped with dopants of a conductivity type; and at least one insulator layer (220) formed above the silicon substrate layer (210), wherein the at least one insulator layer (220) and the dopants of the silicon substrate layer (210) have opposite electric charges. L'invention concerne un appareil à semi-conducteur (200, 300) comprenant une couche de substrat de silicium (210) dont au moins une partie est dopée avec des dopants d'un type de conductivité; et au moins une couche d'isolation (220) formée au-dessus de la couche de substrat de silicium (210), l'au moins une couche d'isolation (220) et les dopants de la couche de substrat de silicium (210) ayant des charges électriques opposées.