ATMOSPHERIC COLD PLASMA JET COATING AND SURFACE TREATMENT

A system and method are described for depositing a material onto a receiving surface, where the material is formed by use of a plasma to modify a source material in-transit to the receiving surface. The system comprises a microwave generator electronics stage. The system further includes a microwave...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	JURCZYK, Brian Edward, STUBBERS, Robert
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY SEMICONDUCTOR DEVICES SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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Beschreibung
Zusammenfassung:	A system and method are described for depositing a material onto a receiving surface, where the material is formed by use of a plasma to modify a source material in-transit to the receiving surface. The system comprises a microwave generator electronics stage. The system further includes a microwave applicator stage including a cavity resonator structure. The cavity resonator structure includes an outer conductor, an inner conductor, and a resonator cavity interposed between the outer conductor and the inner conductor. The system also includes a multi-component flow assembly including a laminar flow nozzle providing a shield gas, a zonal flow nozzle providing a functional process gas, and a source material flow nozzle configured to deliver the source material. The source material flow nozzle and zonal flow nozzle facilitate a reaction between the source material and the functional process gas within a plasma region. La présente invention concerne un système et un procédé pour déposer un matériau sur une surface de réception, le matériau étant formé au moyen d'un plasma pour modifier un matériau source en transit vers la surface de réception. Le système comprend un étage électronique de générateur de micro-ondes. Le système comprend en outre un étage applicateur de micro-ondes comprenant une structure de résonateur à cavité. La structure de résonateur à cavité comprend un conducteur externe, un conducteur interne et une cavité de résonateur intercalée entre le conducteur externe et le conducteur interne. Le système comprend en outre un ensemble d'écoulement à composants multiples comprenant une buse d'écoulement laminaire fournissant un gaz de protection, une buse d'écoulement zonal fournissant un gaz de traitement fonctionnel, et une buse d'écoulement de matériau source configurée pour distribuer le matériau source. La buse d'écoulement de matériau source et la buse d'écoulement zonal facilitent une réaction entre le matériau source et le gaz de traitement fonctionnel dans une région de plasma.