IN-SITU SELECTIVE DEPOSITION AND ETCHING FOR ADVANCED PATTERNING APPLICATIONS

Embodiments of the invention provide a method for in-situ selective deposition and etching for advanced patterning applications. According to one embodiment the method includes providing in a process chamber a substrate having a metal-containing layer thereon, and exposing the substrate to a gas pulse sequence to etch the metal-containing layer in the absence of a plasma, where the gas pulse sequence includes, in any order, exposing the substrate to a first reactant gas containing a halogen-containing gas, and exposing the substrate to a second reactant gas containing an aluminum alkyl. According to another embodiment, the substrate has an exposed first material layer and an exposed second material layer, and the exposing to the gas pulse sequence selectively deposits an additional material layer on the exposed first material layer but not on the exposed second material layer. Des modes de réalisation de l'invention concernent un procédé de dépôt et de gravure sélectifs in situ pour des applications de modelage avancées. Selon un mode de réalisation, le procédé comprend la fourniture dans une chambre de traitement d'un substrat ayant une couche contenant un métal sur celui-ci, et l'exposition du substrat à une séquence d'impulsions de gaz pour graver la couche contenant un métal en l'absence d'un plasma, la séquence d'impulsions de gaz comprenant, dans un ordre quelconque, l'exposition du substrat à un premier gaz réactif contenant un gaz contenant de l'halogène, et l'exposition du substrat à un deuxième gaz réactif contenant un alkyle d'aluminium. Selon un autre mode de réalisation, le substrat comporte une première couche de matériau exposée et une deuxième couche de matériau exposée, et l'exposition à la séquence d'impulsions de gaz dépose sélectivement une couche de matériau supplémentaire sur la première couche de matériau exposée mais pas sur la deuxième couche de matériau exposée.