HIGH ACCURACY OF RELATIVE DEFECT LOCATIONS FOR REPEATER ANALYSIS
Methods and systems for transforming positions of defects detected on a wafer are provided. One method includes aligning output of an inspection subsystem for a first frame in a first swath in a first die in a first instance of a multi-die reticle printed on the wafer to the output for corresponding...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | Methods and systems for transforming positions of defects detected on a wafer are provided. One method includes aligning output of an inspection subsystem for a first frame in a first swath in a first die in a first instance of a multi-die reticle printed on the wafer to the output for corresponding frames, swaths, and dies in other reticle instances printed on the wafer. The method also includes determining different swath coordinate offsets for each of the frames, respectively, in the other reticle instances based on the swath coordinates of the output for the frames and the corresponding frames aligned thereto and applying one of the different swath coordinate offsets to the swath coordinates reported for the defects based on the other reticle instances in which they are detected thereby transforming the swath coordinates for the defects from swath coordinates in the other reticle instances to the first reticle instance.
La présente invention concerne des procédés et des systèmes pour classer des défauts détectés sur une tranche. Un procédé comprend l'alignement de la sortie d'un sous-système d'inspection pour une première trame dans une première bande dans une première puce dans une première instance d'un réticule multipuce imprimé sur la tranche à la sortie pour des trames, bandes et puces correspondantes dans d'autres instances de réticule imprimées sur la tranche. Le procédé comprend en outre la détermination de différents décalages de coordonnées de bande pour chacune des trames, respectivement, dans les autres instances de réticule sur la base des coordonnées de bande de la sortie pour les trames et les trames correspondantes alignées sur celles-ci et l'application de l'un des différents décalages de coordonnées de bande aux coordonnées de bande rapportées pour les défauts sur la base des autres instances de réticule dans lesquelles ils sont détectés, de façon à transformer les coordonnées de bande pour les défauts des coordonnées de bande dans les autres instances de réticule vers la première instance de réticule. |
---|