TUNGSTEN OXIDE-BASED MATERIAL

A material of Formula (I) is provided MyTxQvW1-vOz-tJt (I) Where: T represents one of tin, lead, antimony and germanium, T being present in the interstitial spaces or voids of the lattice, M represents one or more species, each selected from the group consisting of (i) metals other than T, and (ii) polyatomic ionic species, said polyatomic species having an ionic radius of no more than 2Å,M being present in the interstitial spaces or voids of the lattice, W is tungsten, O is oxygen, Q represents one or more element having an oxidation state of at least +4, Q, if present, occupying a lattice point of W, J represents one or more non-metallic element anion of chemical valence -1, J, if present, occupying a lattice point of O, v is from 0 to 1.0, t is from 0 to 3.0, y is non-zero and up to and including 0.32, x is non- zero and up to and including 0.32, and z is from 2.5 to 4, provided that x+y≤0.33. L'invention concerne un matériau de formule (I), MyTxQvW1-vOz-tJt (I), dans laquelle : T représente un élément parmi l'étain, le plomb, l'antimoine et le germanium, T étant présent dans les espaces interstitiels ou les vides du réseau, M représente une ou plusieurs espèces, chacune étant choisie dans le groupe constitué par (i) des métaux autres que T, et (ii) des espèces ioniques polyatomiques, lesdites espèces polyatomiques ayant un rayon ionique inférieur ou égal à 2 Å, M étant présent dans les espaces interstitiels ou les vides du réseau, W désigne du tungstène, O désigne de l'oxygène, Q représente un ou plusieurs éléments ayant un état d'oxydation d'au moins +4, Q, si présent, occupant un point réticulaire de W, J représente un ou plusieurs anions d'élément non métallique de valence chimique -1, J, si présent, occupant un point réticulaire de l'O, v est compris entre 0 et 1,0, t est compris entre 0 et 3,0, y est supérieur à 0 et inférieur ou égal à 0,32, x est supérieur à 0 et inférieur ou égal à 0,32, et z est compris entre 2,5 et 4, à condition que x + y ≤ 0,33.