SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE, HIGH FREQUENCY FRONT-END CIRCUIT USING SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE, AND COMMUNICATION DEVICE USING SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE

A surface acoustic wave device (20) relating to the present invention is provided with: a package substrate (60); a surface acoustic wave chip (210) that is provided with a chip substrate (211), i.e., a lithium niobate substrate; a surface acoustic wave chip (220) that is provided with a chip substrate (221), i.e., a lithium tantalate substrate; a bump (41) bonded to the surface acoustic wave chip (210); and a bump (42) bonded to the surface acoustic wave chip (220). The surface acoustic wave chip (210) is mounted on the package substrate (60) using the bump (41), and the surface acoustic wave chip (220) is mounted on the package substrate (60) using the bump (42). At this time, the material of the bump (41) has a Young's modulus that is lower than that of the material of the bump (42). Un dispositif à ondes acoustiques de surface (20) se rapportant à la présente invention comprend : un substrat de boîtier (60) ; une puce à ondes acoustiques de surface (210) qui est pourvue d'un substrat de puce (211), c'est-à-dire un substrat de niobate de lithium ; une puce à ondes acoustiques de surface (220) qui comporte un substrat de puce (221), c'est-à-dire un substrat de tantalate de lithium ; une bosse (41) liée à la puce à ondes acoustiques de surface (210) ; et une bosse (42) liée à la puce à ondes acoustiques de surface (220). La puce à ondes acoustiques de surface (210) est montée sur le substrat de boîtier (60) à l'aide de la bosse (41), et la puce à ondes acoustiques de surface (220) est montée sur le substrat de boîtier (60) à l'aide de la bosse (42). À ce moment-là, le matériau de la bosse (41) a un module d'élasticité de Young qui est inférieur à celui du matériau de la bosse (42). 本発明にかかる弾性波装置（２０）は、パッケージ基板（６０）と、ニオブ酸リチウム基板であるチップ基板（２１１）を備える弾性波チップ（２１０）と、タンタル酸リチウム基板であるチップ基板（２２１）を備える弾性波チップ（２２０）と、弾性波チップ（２１０）に接合されたバンプ（４１）と、弾性波チップ（２２０）に接合されたバンプ（４２）とを備える。弾性波チップ（２１０）はバンプ（４１）を用いてパッケージ基板（６０）に実装され、弾性波チップ（２２０）はバンプ（４２）を用いてパッケージ基板（６０）に実装されている。このとき、バンプ（４１）の材料は、バンプ（４２）の材料より低いヤング率を有する。