THREE-DIMENSIONAL DECOUPLING INTEGRATION WITHIN HOLE IN MOTHERBOARD

Semiconductor packages and a method of forming a semiconductor package are described. The semiconductor package has a foundation layer mounted on a motherboard. The semiconductor package also includes a hole in motherboard (HiMB) that is formed in the motherboard. The semiconductor package has one or more capacitors mounted on an electrical shield. The electrical shield may be embedded in the HiMB of the motherboard. Accordingly, the semiconductor package has capacitors vertically embedded between the electrical shield and the HiMB of the motherboard. The semiconductor package may also have one or more HiMB sidewalls formed on the HiMB, where each of the one or more HiMB sidewalls includes at least one or more plated through holes (PTHs) with an exposed layer. The PTHs may be electrically coupled to the capacitors as the capacitors are vertically embedded between the electrical shield sidewalls and the HiMB sidewalls (i.e., three-dimensional (3D) capacitors). L'invention concerne des boîtiers de semi-conducteur et un procédé de formation d'un boîtier de semi-conducteur. Le boîtier de semi-conducteur comporte une couche de base montée sur une carte mère. Le boîtier de semi-conducteur comprend également un trou dans la carte mère (HiMB) qui est formé dans la carte mère. Le boîtier de semi-conducteur comprend un ou plusieurs condensateur(s) monté(s) sur un blindage électrique. Le blindage électrique peut être incorporé dans le HiMB de la carte mère. En conséquence, le boîtier de semi-conducteur comporte des condensateurs intégrés verticalement entre le blindage électrique et le HiMB de la carte mère. Le boîtier de semi-conducteur peut également comporter une ou plusieurs paroi(s) latérale(s) de HiMB formée(s) sur le HiMB, chacune des parois comprenant un ou plusieurs trou(s) traversant(s) plaqué(s) (PTH) présentant une couche exposée. Les PTH peuvent être couplés électriquement aux condensateurs lorsque les condensateurs sont intégrés verticalement entre les parois latérales de blindage électrique et les parois latérales des HiMB (c'est-à-dire, des condensateurs tridimensionnels (3D)).