METHOD OF SAMPLE PREPARATION USING DUAL ION BEAM TRENCHING

Systems and methods of sample preparation using dual ion beam trenching are described. In an example, an inside of a semiconductor package is non-destructively imaged to determine a region of interest (ROI). A mask is positioned over the semiconductor package, and a mask window is aligned with the ROI. A first ion beam and a second ion beam are swept, simultaneously or sequentially, along an edge of the mask window to trench the semiconductor package and to expose the ROI for analysis. La présente invention concerne des systèmes et des procédés de préparation d'échantillon par creusement à double faisceau d'ions. Dans un exemple, l'intérieur d'un boîtier de semi-conducteur est imagé de façon non destructive pour déterminer une région d'intérêt (ROI). Un masque est positionné sur le boîtier de semi-conducteur, et une fenêtre de masque est alignée avec la ROI. Un premier faisceau d'ions et un deuxième faisceau d'ions sont balayés, simultanément ou séquentiellement, le long d'un bord de la fenêtre de masque pour creuser le boîtier de semi-conducteur et exposer la ROI pour analyse.