SAW RESONATOR COMPRISING LAYERS FOR ATTENUATING PARASITIC WAVES

The invention relates to a SAW resonator (100) comprising at least: a substrate (102); a layer (108) of piezoelectric material arranged on the substrate; a first attenuation layer (112) arranged between the substrate and the layer of piezoelectric material, and/or, when the substrate comprises at le...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	HUYET, Isabelle, DROUIN, Alexis, REINHARDT, Alexandre, VO, Thu Trang, MOULET, Jean-Sébastien, SINQUIN, Yann
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY ELECTRICITY IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS RESONATORS
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Beschreibung
Zusammenfassung:	The invention relates to a SAW resonator (100) comprising at least: a substrate (102); a layer (108) of piezoelectric material arranged on the substrate; a first attenuation layer (112) arranged between the substrate and the layer of piezoelectric material, and/or, when the substrate comprises at least two different layers (104, 106), a second attenuation layer (114) arranged between the two layers of the substrate; and in which the at least one attenuation layer is/are heterogeneous. Résonateur SAW (100) comportant au moins : - un substrat(102); - une couche de matériau piézoélectrique (108) disposée sur le substrat; - une première couche d'atténuation (112) disposée entre le substrat et la couche de matériau piézoélectrique et/ou, lorsque le substrat comporte au moins deux couches distinctes (104, 106), une deuxième couche d'atténuation (114) disposée entre les deux couches du substrat; et dans lequel la ou les couches d'atténuation sont hétérogènes.