TEMPERATURE CONTROL USING TEMPERATURE CONTROL ELEMENT COUPLED TO FARADAY SHIELD

Plasma processing apparatus and methods are disclosed. In one example implementation, a plasma processing apparatus can include a processing chamber. The apparatus can include a pedestal located in the processing chamber configured to support a workpiece during processing. The apparatus can include a dielectric window forming at least a portion of the processing chamber. The apparatus can include an inductive coupling element located proximate the dielectric window. The inductive coupling element can be configured to generate a plasma in the processing chamber when energized with RF energy. The apparatus can include a Faraday shield located between the inductive coupling element and the processing chamber. The apparatus can include at least one temperature control element in thermal communication with the Faraday shield. L'invention concerne un appareil et des procédés de traitement au plasma. Dans un mode de réalisation donné à titre d'exemple, un appareil de traitement au plasma peut comprendre une chambre de traitement. L'appareil peut comprendre un socle situé dans la chambre de traitement conçu pour supporter une pièce au cours du traitement. L'appareil peut comprendre une fenêtre diélectrique formant au moins une partie de la chambre de traitement. L'appareil peut comprendre un élément de couplage inductif situé à proximité de la fenêtre diélectrique. L'élément de couplage inductif peut être conçu pour générer un plasma dans la chambre de traitement lorsqu'il est alimenté en énergie RF. L'appareil peut comprendre un écran de Faraday situé entre l'élément de couplage inductif et la chambre de traitement. L'appareil peut comprendre au moins un élément de régulation de température en communication thermique avec l'écran de Faraday.