ION DIRECTIONALITY ESC

A substrate support for supporting a substrate within a semiconductor processing chamber is provided. A substrate support body is provided. At least one resistive heating element is embedded in or on the substrate support body comprising a first heating current path within or on the substrate and a second heating current path within or on the substrate, wherein the first heating current path is within 4 mm from the second heating current path, and the current flowing through the first current path is in an opposite direction of the current flowing through the second heating current path. La présente invention porte de manière générale sur un porte-substrat pour supporter un substrat dans une chambre de traitement. Un corps de porte-substrat est fourni. Au moins un élément chauffant résistif est intégré dans ou sur le corps porte-substrat comprenant un premier trajet de courant de chauffage à l'intérieur ou sur le substrat et un second trajet de courant de chauffage à l'intérieur ou sur le substrat, le premier trajet de courant de chauffage étant à 4 mm au plus par rapport au second trajet de courant de chauffage, et le courant circulant à travers le premier trajet de courant ayant une direction opposée au courant circulant à travers le second trajet de courant de chauffage.