METHOD FOR SEPARATING EPITAXIAL LAYER BY USING CRACK PATTERN

The present invention relates to a method for separating an epitaxial layer of a heterogeneous material from a semiconductor substrate and the subject matter of the present invention is a method for separating an epitaxial layer by using a crack pattern, the method comprising: a first step for forming a pattern for determining a crack array of an epitaxial layer on a semiconductor substrate; a second step for growing the epitaxial layer on the semiconductor substrate having the pattern; a third step for forming a crack array on the epitaxial layer in correspondence with the pattern; and a fourth step for allowing an etching solution to permeate into the crack array of the epitaxial layer, forming a fluid channel for providing a path, through which an etching solution can permeate into the epitaxial layer, along the crack array, and separating the epitaxial layer from the semiconductor substrate. La présente invention concerne un procédé de séparation d'une couche épitaxiale d'un matériau hétérogène d'un substrat semi-conducteur et l'objet de la présente invention concerne un procédé de séparation d'une couche épitaxiale au moyen d'un motif de fissure, le procédé comprenant : une première étape consistant à former un motif destiné à déterminer un ensemble de fissures d'une couche épitaxiale sur un substrat semi-conducteur ; une deuxième étape consistant à faire croître la couche épitaxiale sur le substrat semi-conducteur ayant le motif ; une troisième étape consistant à former un ensemble de fissures sur la couche épitaxiale en correspondance avec le motif ; et une quatrième étape consistant à faire pénétrer une solution de gravure dans l'ensemble de fissures de la couche épitaxiale, à former un canal de fluide destiné à fournir un trajet permettant à la solution de gravure de pénétrer dans la couche épitaxiale le long de l'ensemble de fissures et à séparer la couche épitaxiale du substrat semi-conducteur. 본 발명은 반도체 기판으로부터 에피층을 분리하기 위한 것으로서, 반도체 기판으로부터 이종 물질의 에피층을 분리하는 방법에 있어서, 상기 반도체 기판 상에 상기 에피층의 갈라짐 배열(crack array)을 결정짓는 패턴을 형성하는 제1단계와, 상기 패턴이 형성된 반도체 기판 상에 에피층을 성장시키는 제2단계와, 상기 패턴에 대응하여 상기 에피층에 갈라짐 배열을 형성시키는 제3단계 및 상기 에피층의 갈라짐 배열에 식각 용액을 침투시켜 상기 갈라짐 배열을 따라 상기 에피층에 상기 식각 용액이 침투할 수 있는 활로를 제공하는 유체채널을 형성하여 상기 반도체 기판으로부터 에피층을 분리하는 제4단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 갈라짐 패턴을 이용한 에피층 분리 방법을 기술적 요지로 한다.