SPUTTERING DEVICE AND ELECTRODE FILM MANUFACTURING METHOD

The purpose of the present invention is to provide a sputtering device that can realize a lower resistance film quality by reducing interference between a high-density plasma and a restricting member. Provided is a sputtering device comprising: a cathode 2 on which a target 1 is disposed; a substrate 3 that is disposed at a position facing the target 1; and a restricting member 4 that restricts the flight direction of sputtered particles. The sputtering device performs film deposition by depositing sputtered particles on the substrate 3. The sputtering device has: a configuration in which the restricting member 4 is disposed so as to straddle erosion regions 5 formed in the target 1, and in which a distance α, from the cathode 2, of facing parts 6 of the restricting member 4 that face the erosion regions 5 is set to be larger than a distance β, from the cathode 2, of a non-facing part 7 of the restricting member 4 that is located between the facing parts 6 and does not face the erosion regions 5; or has a configuration in which a restricting member holding part that holds a restricting member 4 composed of the non-facing part 7 is disposed so as to straddle the erosion regions 5. Le but de la présente invention est de fournir un dispositif de pulvérisation qui peut réaliser une qualité de film de résistance inférieure par réduction de l'interférence entre un plasma haute densité et un élément de restriction. L'invention concerne un dispositif de pulvérisation comprenant : une cathode (2) sur laquelle une cible (1) est disposée ; un substrat (3) qui est disposé au niveau d'une position faisant face à la cible (1) ; et un élément de restriction (4) qui restreint la direction de vol des particules pulvérisées. Le dispositif de pulvérisation effectue un dépôt de film par dépôt de particules pulvérisées sur le substrat (3). Le dispositif de pulvérisation possède : une configuration dans laquelle l'élément de restriction (4) est disposé de façon à chevaucher des régions d'érosion (5) formées dans la cible (1), et dans laquelle une distance α, à partir de la cathode (2), de parties en vis-à-vis (6) de l'élément de restriction (4) qui font face aux régions d'érosion (5) est réglée pour être plus grande qu'une distance β, à partir de la cathode (2), d'une partie non en vis-à-vis (7) de l'élément de restriction (4) qui est située entre les parties en vis-à-vis (6) et ne fait pas face aux régions d'érosion (5) ; ou possède une configuration dans laquelle une partie d