SYSTEMS, METHODS AND APPARATUS FOR ENABLING HIGH VOLTAGE CIRCUITS

Systems, methods and apparatus for coexistence of high voltage and low voltage devices and circuits on a same integrated circuit fabricated in silicon-on-insulator (SOI) technology are described. In particular, techniques for mitigating back gate effects are described, including using of resistive and/or capacitive couplings to control surface potentials at regions of a substrate used for the SOI fabrication proximate the high voltage and low voltage devices and circuits. In one case, an N-type implant is used to provide a high potential differential with respect to a substrate potential. La présente invention concerne des systèmes, des procédés et un appareil permettant la coexistence de dispositifs et de circuits haute tension et basse tension sur un même circuit intégré fabriqué dans une technologie silicium sur isolant (SOI pour Silicon-On-Insulator). En particulier, la présente invention porte sur des techniques permettant d'atténuer des effets de grille arrière, consistant à utiliser des couplages résistifs et/ou capacitifs pour commander des potentiels de surface au niveau de régions d'un substrat utilisé pour la fabrication de silicium sur isolant à proximité des dispositifs et des circuits haute tension et basse tension. Dans un cas, un implant de type N est utilisé pour fournir un différentiel de potentiel élevé par rapport à un potentiel de substrat.