POLISHING COMPOSITION

Provided is a polishing composition capable of attaining a high polishing rate. The polishing composition comprises abrasive silica grains, a pH regulator, and water. The affinity AV between the abrasive silica grains and the water is 0.51 or higher, the affinity AV being represented by equation (1). AV=Rsp/TSA (1) In equation (1), Rsp is represented by equation (2) and TSA is the total surface area of the abrasive silica grains. Rsp=(Rav/Rb)-1 (2) In equation (2), Rav is the reciprocal of the NMR relaxation time of the abrasive silica grains in a dispersed state and Rb is the reciprocal of the NMR relaxation time of the abrasive silica grains in an undispersed state. L'invention concerne une composition de polissage capable d'atteindre un taux de polissage élevé. La composition de polissage comprend des grains de silice abrasifs, un régulateur de pH et de l'eau. L'affinité AV entre les grains de silice abrasifs et l'eau est de 0,51 ou plus, l'affinité AV étant représentée par l'équation (1). AV = Rsp/TSA (1) dans l'équation (1), Rsp est représenté par l'équation (2) et TSA est la surface totale des grains de silice abrasifs. Rsp = (1/Rb) -1 (2) dans l'équation (2), Rav est la réciproque du temps de relaxation RMN des grains de silice abrasifs dans un état dispersé et Rb est la réciproque du temps de relaxation RMN des grains de silice abrasifs dans un état non dispersé. 高い研磨速度を得ることができる研磨用組成物を提供する。研磨用組成物は、シリカ砥粒と、ｐＨ調整剤と、水とを含む。シリカ砥粒と水との親和性ＡＶは０．５１以上であり、親和性ＡＶは次の式（１）で表される。 ＡＶ＝Ｒｓｐ／ＴＳＡ （１） 式（１）中、Ｒｓｐは次の式（２）で表され、ＴＳＡはシリカ砥粒の総表面積である。 Ｒｓｐ＝（Ｒａｖ／Ｒｂ）－１ （２） 式（２）中、Ｒａｖはシリカ砥粒を分散させた状態で観測されるＮＭＲ緩和時間の逆数である。Ｒｂはシリカ砥粒を分散させていない状態で観測されるＮＭＲ緩和時間の逆数である。