METHOD AND APPARATUS FOR THERMAL TREATMENT OF COATED SUBSTRATES, IN PARTICULAR THIN-FILM SOLAR SUBSTRATES

Ein Verfahren zur thermischen Behandlung eines ebenen Substrats mit einer ersten, zu beschichtenden oder bereits beschichteten Seite und einer der ersten Seite gegenüberliegenden zweiten Seite, durch Erzeugen einer homogener Temperaturverteilung auf dieser ersten Seite und Erwärmung des Substrats von dessen zweiter Seite mittels einer Heizanordnung, mit den folgenden Verfahrensschritten: Messen eines Höhenprofils des Substrats und eines Temperaturprofils des Substrats und Minimieren einer im Höhenprofil gemessenen Abweichung von der Ebene durch Steuern der Heizanordnung zur Änderung des Temperaturprofils des Substrats mittels eines Steueralgorithmus in Abhängigkeit von Eigenschaften des Substrats und den gemessenen Höhen- und Temperaturprofilen. The invention relates to a method for thermal treatment of a flat substrate with a first side that is to be coated or is already coated and a second side opposite said first side, by generating a homogeneous temperature distribution on the first side and heating the substrate from the second side by means of a heating system. The method comprises the following steps: Measuring a height profile of the substrate and a temperature profile of the substrate and minimizing a measured deviation of the height profile from the plane by controlling the heating system to modify the temperature profile of the substrate by way of a control algorithm and depending on properties of the substrate and the measured height and temperature profiles. La présente invention concerne un procédé de traitement thermique d'un substrat plan comportant un premier côté, à revêtir ou déjà revêtu et un deuxième côté opposé au premier côté, par génération d'une distribution de température homogène sur ledit premier côté et par échauffement du substrat du deuxième côté dudit substrat, au moyen d'un dispositif de chauffage, ledit procédé comportant les étapes suivantes : la mesure d'un profil de hauteur du substrat et d'un profil de température du substrat ; et la minimisation d'un écart mesuré dans le profil de hauteur par rapport au plan, par modification du profil de température du substrat, au moyen d'un algorithme de commande, en fonction des propriétés du substrat et des profils de hauteur et de température mesurés.