METHOD OF SELECTIVE DEPOSITION FOR BEOL DIELECTRIC ETCH

Embodiments of the invention address several issues and problems associated with etching of dielectric materials for BEOL applications. According to one embodiment, the method includes providing a patterned substrate containing a dielectric material, exposing the substrate to a gas phase plasma to functionalize a surface of the dielectric material, exposing the substrate to a silanizing reagent that reacts with the functionalized surface of the dielectric material to form a dielectric film, and sequentially repeating the exposing steps at least once to increase a thickness of the dielectric film. According to one embodiment, the dielectric material may be a porous low-k material, and the dielectric film seals the pores on a surface of the porous low-k material. Des modes de réalisation de l'invention résolvent plusieurs problèmes et problèmes associés à la gravure de matériaux diélectriques en matière d'applications BEOL. Selon un mode de réalisation, le procédé consiste à fournir un substrat à motifs contenant un matériau diélectrique, à exposer le substrat à un plasma en phase gazeuse pour fonctionnaliser une surface du matériau diélectrique, à exposer le substrat à un réactif de silanisation qui réagit avec la surface fonctionnalisée du matériau diélectrique pour former un film diélectrique, et à répéter séquentiellement les étapes d'exposition au moins une fois pour augmenter une épaisseur du film diélectrique. Selon un mode de réalisation, le matériau diélectrique peut être un matériau poreux à faible constante diélectrique, et le film diélectrique scelle les pores sur une surface du matériau poreux à faible constante diélectrique.