ELECTRONICS PACKAGE WITH EMBEDDED THROUGH-CONNECT AND RESISTOR STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF
An electronics package includes an insulating substrate, a semiconductor device having a top surface coupled to a first side of the insulating substrate, and a pass-through structure coupled to the first side of the insulating substrate. The pass-through structure includes an insulating core, a resi...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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Zusammenfassung: | An electronics package includes an insulating substrate, a semiconductor device having a top surface coupled to a first side of the insulating substrate, and a pass-through structure coupled to the first side of the insulating substrate. The pass-through structure includes an insulating core, a resistor disposed proximate a top surface of the insulating core, and at least one through- hole structure forming at least one conductive pathway through a thickness of the insulating core, A patterned metallization layer is formed on a second side of the insulating substrate. The patterned metallization layer is electrically coupled to at least one first conductive pad of the semiconductor device and electrically couples at least one second conductive pad of the semiconductor device to a through-hole structure of the at least one through-hole structure through the resistor.
L'invention concerne un boîtier électronique comprenant un substrat isolant, un dispositif à semiconducteur ayant une surface supérieure couplée à un premier côté du substrat isolant, et une structure de passage couplée au premier côté du substrat isolant. La structure de passage comprend un noyau isolant, une résistance disposée à proximité d'une surface supérieure du noyau isolant, et au moins une structure de trou traversant formant au moins une voie conductrice à travers une épaisseur du noyau isolant, une couche de métallisation à motifs est formée sur un second côté du substrat isolant. La couche de métallisation à motifs est électriquement couplée à au moins un premier plot conducteur du dispositif à semiconducteur et couple électriquement au moins un second plot conducteur du dispositif à semiconducteur à une structure de trou traversant de l'au moins une structure de trou traversant à travers la résistance. |
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