INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR DEVICE, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR DEVICE

The purpose of the present invention is to provide an insulated gate bipolar transistor device which exhibits high performance and high mass productivity, and the like. An insulated gate bipolar transistor device which comprises, as a plurality of trench structures, at least a trench gate, a first dummy trench and a second dummy trench, and wherein: the first dummy trench and the second dummy trench are trench structures adjacent to each other; the trench gate is connected to a gate electrode; the first dummy trench and the second dummy trench are not connected to the gate electrode, while being connected to an emitter electrode; and a source layer of a first conductivity type is formed also between the first dummy trench and the second dummy trench. L'objet de la présente invention est de fournir un dispositif de transistor bipolaire à grille isolée qui présente une performance élevée et une productivité de masse élevée, et similaire. L'invention concerne un dispositif de transistor bipolaire à grille isolée qui comprend, en tant que pluralité de structures de tranchée, au moins une grille de tranchée, une première tranchée factice et une seconde tranchée factice : la première tranchée factice et la seconde tranchée factice étant des structures de tranchée adjacentes l'une à l'autre ; la grille de tranchée étant connectée à une électrode de grille ; la première tranchée factice et la seconde tranchée factice n'étant pas connectées à l'électrode de grille, tout en étant connectée à une électrode d'émetteur ; et une couche de source d'un premier type de conductivité étant également formée entre la première tranchée factice et la seconde tranchée factice. 本発明は、高性能で量産性の高い絶縁ゲートバイポーラトランジスタ装置等を提供することを目的とする。 複数のトレンチ構造として、少なくとも、トレンチゲート、第一ダミートレンチ及び第二ダミートレンチを有し、第一ダミートレンチ及び第二ダミートレンチは隣接するトレンチ構造であり、トレンチゲートはゲート電極に接続されており、第一ダミートレンチ及び第二ダミートレンチは、ゲート電極には接続されずに、エミッタ電極に接続されており、第一導電型ソース層が、第一ダミートレンチ及び第二ダミートレンチの間にも形成されている、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ装置である。