SINGLE CRYSTAL SYNTHETIC DIAMOND MATERIAL VIA CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION

There is described a single crystal CVD diamond material comprising three orthogonal dimensions of at least 2 mm;one or more regions of low optical birefringence, indicative of low strain, such that in a sample of the single crystal CVD diamond material having a thickness in a range 0.5 mm to 1.0 mm and an area of greater than 1.3 mm x 1.3 mm and measured using a pixel size of area in a range 1 x 1 µm2 to 20 x 20 µm2, a maximum value of Δn[average] does not exceed 1.5 x 10-4 for the one or more regions of low optical birefringence, where Δn[average] is an average value of a difference between refractive index for light polarised parallel to slow and fast axes averaged over the sample thickness;one or more regions of high optical birefringence, indicative of high strain, such that in said sample of the single crystal CVD diamond material and measured using said pixel size, Δn[average] is greater than 1.5 x 10-4 and less than 3 x 10-3; and wherein every 1.3 mm x 1.3 mm area of the sample of the single crystal CVD diamond material comprises at least one of said regions of high optical birefringence. There is also described a method of making the CVD diamond material. L'invention concerne un matériau de diamant monocristallin obtenu par dépôt chimique en phase vapeur (CVD), comprenant trois dimensions orthogonales d'au moins 2 mm ; au moins une zone de faible biréfringence optique, indiquant une faible contrainte, de sorte que, dans un échantillon dudit matériau de diamant doté d'une épaisseur située sur une plage comprise entre 0,5 mm et 1,0 mm et d'une surface supérieure à 1,3 mm x 1,3 mm et mesurée au moyen d'une taille de pixel de surface située sur une plage comprise entre 1 x 1 µm2 et 20 x 20 µm2, une valeur maximale de Δn[moyenne] ne dépasse pas 1,5 x 10-4 pour ladite zone au moins de faible biréfringence optique, Δn[moyenne] étant une valeur moyenne d'une différence entre l'indice de réfraction pour une lumière polarisée parallèlement à des axes lents et rapides moyennée sur l'épaisseur de l'échantillon ; au moins une zone de biréfringence optique élevée, indiquant une contrainte élevée, de sorte que dans ledit échantillon de matériau de diamant moncristallin obtenu par CVD et mesurée au moyen de ladite taille de pixel, Δn[moyenne] soit supérieure à 1,5 x 10-4 et inférieure à 3 x 10-3 ; et chaque zone de 1,3 mm x 1,3 mm de l'échantillon dudit matériau comprenant au moins une desdites zones de biréfringence optique élevée. L'invention concerne également