DECOUPLING CAPACITOR WITH METAL PROGRAMMABLE KNEE FREQUENCY

A MOS IC includes pMOS transistors, each having a pMOS transistor drain, source, and gate. Each pMOS transistor gate extends in a first direction and is coupled to other pMOS transistor gates. Each pMOS transistor source/drain are coupled to a first voltage source. The MOS IC further includes a first metal interconnect (310) extending over the pMOS transistors. The first metal interconnect has first (312) and second (314) ends. The first metal interconnect is coupled to each pMOS transistor gate and is coupled to a second voltage source less than the first voltage source. One of each pMOS transistor gate or the second voltage source is coupled to the first metal interconnect through at least one tap point (316) located between the first and second ends. The pMOS transistors and the first metal interconnect function as a decoupling capacitor. Selon l'invention, un circuit intégré MOS comprend des transistors pMOS comportant chacun un drain, une source et une grille de transistor pMOS. Chaque grille de transistor pMOS s'étend dans une première direction et est couplée à d'autres grilles de transistor pMOS. Chaque source/drain de transistor pMOS est couplée à une première source de tension. Le circuit intégré MOS comprend en outre une première interconnexion métallique (310) s'étendant sur les transistors pMOS. La première interconnexion métallique présente une première (312) et une seconde (314) extrémité. La première interconnexion métallique est couplée, d'une part à chaque grille de transistor pMOS, d'autre part à une seconde source de tension inférieure à la première source de tension. Chaque grille de transistor pMOS ou la seconde source de tension est couplée à la première interconnexion métallique par au moins un point de prise (316) situé entre la première et la seconde extrémité. Les transistors pMOS et la première interconnexion métallique fonctionnent comme un condensateur de découplage.