TRANSFER METHOD PROVIDING THERMAL EXPANSION MATCHED DEVICES

A method of transferring an integrated circuit (IC) onto an alternative substrate is provided at a wafer level to enable coefficient of thermal expansion (CTE) matching for a circuit layer to a different material. The method is executable relative to a wafer (11) with a circuit layer (12), a first m...

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1. Verfasser: DRAB, John J
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:A method of transferring an integrated circuit (IC) onto an alternative substrate is provided at a wafer level to enable coefficient of thermal expansion (CTE) matching for a circuit layer to a different material. The method is executable relative to a wafer (11) with a circuit layer (12), a first major surface (121), a second major surface (122) opposite the first major surface, and a substrate (13) affixed to the first major surface. The method includes temporarily bonding a handle (14) to the second major surface, removing a majority of the substrate to expose the first major surface and bonding a second substrate (16) to the first major surface with deposited bonding material (15). L'invention concerne un procédé de transfert d'un circuit intégré (IC) sur un substrat alternatif à un niveau de tranche pour permettre une adaptation de coefficient de dilatation thermique (CTE) pour une couche de circuit à un matériau différent. Le procédé est exécutable par rapport à une tranche (11) avec une couche de circuit (12), une première surface principale (121), une seconde surface principale (122) opposée à la première surface principale, et un substrat (13) fixé à la première surface principale. Le procédé comprend la liaison temporaire d'une poignée (14) à la seconde surface principale, l'élimination d'une majorité du substrat pour exposer la première surface principale et la liaison d'un second substrat (16) à la première surface principale avec un matériau de liaison déposé (15).