HIGH ASPECT RATIO ETCH

A method for etching a layer in a processing chamber is provided. A plurality of cycles is provided, where each cycle comprises a deposition phase, a clearing phase, and an etching phase. The deposition phase comprises flowing a deposition gas comprising a fluorocarbon or hydrofluorocarbon gas into the processing 5 chamber, maintaining a deposition phase pressure of at least 50 mTorr, transforming the deposition gas into a plasma, and stopping the deposition phase. The clearing phase comprises flowing a clearing gas comprising a halogen containing gas into the processing chamber, maintaining a clearing phase pressure of less than 40 mTorr, 10 transforming the clearing gas into a plasma, and stopping the clearing phase. The etching phase comprises flowing an etching gas comprising a halogen containing gas into the processing chamber, maintaining an etching phase pressure of at least 30 mTorr, transforming the etching gas into a plasma, and stopping the etching phase. La présente invention concerne un procédé permettant de graver une couche dans une chambre de traitement. Une pluralité de cycles est prévue, chaque cycle comprenant une phase de dépôt, une phase de dégagement et une phase de gravure. La phase de dépôt consiste à faire circuler un gaz de dépôt comprenant un gaz fluorocarboné ou hydrofluorocarboné dans la chambre de traitement, à maintenir une pression de phase de dépôt d'au moins 50 mTorr, à transformer le gaz de dépôt en un plasma et à arrêter la phase de dépôt. La phase de dégagement consiste à faire circuler un gaz de dégagement comprenant un gaz contenant de l'halogène dans la chambre de traitement, à maintenir une pression de phase de dégagement inférieure à 40 mTorr, à transformer le gaz de dégagement en un plasma et à arrêter la phase de dégagement. La phase de gravure consiste à faire circuler un gaz de gravure comprenant un gaz contenant de l'halogène dans la chambre de traitement, à maintenir une pression de phase de gravure d'au moins 30 mTorr, à transformer le gaz de gravure en un plasma et à arrêter la phase de gravure.