MULTI-COLUMN ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY INCLUDING FIELD EMITTERS ON A SILICON SUBSTRATE WITH BORON LAYER

A multi-column electron beam device includes an electron source comprising multiple field emitters fabricated on a surface of a silicon substrate. To prevent oxidation of the silicon, a thin, contiguous boron layer is disposed directly on the output surface of the field emitters. The field emitters can take various shapes including a pyramid, a cone, or a rounded whisker. Optional gate layers may be placed on the output surface near the field emitters. The field emitter may be p-type or n-type doped. Circuits may be incorporated into the wafer to control the emission current. A light source may be configured to illuminate the electron source and control the emission current. The multi-column electron beam device may be a multi-column electron beam lithography system configured to write a pattern on a sample. La présente invention concerne un dispositif à faisceau d'électrons à colonnes multiples qui comprend une source d'électrons comprenant de multiples émetteurs de champ fabriqués sur une surface d'un substrat de silicium. Pour empêcher l'oxydation du silicium, une couche mince de bore contiguë est disposée directement sur la surface de sortie des émetteurs de champ. Les émetteurs de champ peuvent prendre diverses formes, notamment une pyramide, un cône ou une trichite arrondie. Des couches de grille facultatives peuvent être placées sur la surface de sortie à proximité des émetteurs de champ. L'émetteur de champ peut être dopé de type p ou de type n. Des circuits peuvent être incorporés dans la tranche pour réguler le courant d'émission. Une source de lumière peut être configurée pour éclairer la source d'électrons et réguler le courant d'émission. Le dispositif à faisceau d'électrons à colonnes multiples peut être un système de lithographie par faisceau d'électrons à colonnes multiples conçu pour écrire un motif sur un échantillon.