EPITAXIAL SILICON WAFER AND METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIAL SILICON WAFER

This method for manufacturing an epitaxial silicon wafer in a trichlorosilane gas atmosphere is provided with: an epitaxial film formation step for forming an epitaxial film comprising silicon on the surface of a silicon wafer; and a nitrogen concentration setting step for forming a nitride film on the epitaxial film by heating, in a nitrogen atmosphere, the silicon wafer on which the epitaxial film has been formed in the epitaxial film formation step, and setting the nitrogen concentration of the surface of the epitaxial film by using inward diffusion from the nitride film. Selon la présente invention, ce procédé de fabrication d'une tranche de silicium épitaxial dans une atmosphère de trichlorosilane gazeux comprend : une étape de formation de film épitaxial permettant de former un film épitaxial comprenant du silicium sur la surface d'une tranche de silicium ; et une étape de définition de concentration d'azote permettant de former un film de nitrure sur le film épitaxial par chauffage, dans une atmosphère d'azote, de la tranche de silicium sur laquelle le film épitaxial a été formé dans l'étape de formation de film épitaxial, et par réglage de la concentration d'azote de la surface du film épitaxial à l'aide d'une diffusion vers l'intérieur à partir du film de nitrure. トリクロロシランのガス雰囲気において、エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法は、シリコンウェーハの表面にシリコンで構成されたエピタキシャル膜を形成するエピタキシャル膜形成工程と、エピタキシャル膜形成工程でエピタキシャル膜が形成されたシリコンウェーハを窒素雰囲気で熱処理してエピタキシャル膜上に窒化膜を形成し、この窒化膜からの内方拡散を利用してエピタキシャル膜表面の窒素濃度を設定する窒素濃度設定工程とを備えている。