DUAL PEDESTAL MEMORY

Substrates, assemblies, and techniques for enabling a dual pedestal for resistive random access memory are disclosed herein. For example, in some embodiments, a device may include a substrate, wherein the substrate includes a fill metal, a first pedestal on the substrate, wherein the first pedestal...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: KARPOV, Elijah V, PILLARISETTY, Ravi, INDUKURI, Tejaswi K, SURI, Satyarth
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:Substrates, assemblies, and techniques for enabling a dual pedestal for resistive random access memory are disclosed herein. For example, in some embodiments, a device may include a substrate, wherein the substrate includes a fill metal, a first pedestal on the substrate, wherein the first pedestal is over the fill metal, and a second pedestal over the first pedestal, where the second pedestal is a bottom electrode for a memory cell. In an example, the first pedestal extends at least a length of the fill metal and the second pedestal extends less than a length of the first pedestal. In addition, the device can include a memory cell over the second pedestal. L'invention concerne des substrats, des assemblages et des techniques pour permettre un double socle pour une mémoire vive résistive. Par exemple, dans certains modes de réalisation, un dispositif peut comprendre un substrat, le substrat comprenant un métal de remplissage, un premier socle sur le substrat, le premier socle étant sur le métal de remplissage, et un second socle sur le premier socle, le second socle étant une électrode inférieure pour une cellule de mémoire. Dans un exemple, le premier socle s'étend au moins sur une longueur du métal de remplissage et le second socle s'étend moins d'une longueur du premier socle. De plus, le dispositif peut comprendre une cellule de mémoire sur le second socle.