PROXIMITY EXPOSURE METHOD

Disclosed is a proximity exposure method wherein: a mask (M), in which mask patterns (31) larger than the resolution limit of a resist (R) are formed, is prepared with respect to a resist pattern (43) having the smallest pitch (P) that is equal to or smaller than the resolution limit of the resist (R); in a first exposure step, after the mask patterns (31) are transferred to a workpiece (W) by means of exposure, the mask (M) and the workpiece (W) are relatively step-moved by the pitch (P) of the resist pattern (43); and in a second exposure step, the mask patterns (31) are transferred again to the workpiece (W) by means of exposure. L'invention concerne un procédé d'exposition de proximité comprenant : un masque (M), dans lequel des motifs de masque (31) supérieurs à la limite de résolution d'une réserve (R) sont formés, est préparé par rapport à un motif de réserve (43) possédant le plus petit pas (P) qui est égal ou inférieur à la limite de résolution de la réserve (R) ; dans une première étape d'exposition, après que les motifs de masque (31) sont transférés vers une pièce à travailler (W) au moyen d'une exposition, le masque (M) et la pièce à travailler (W) sont déplacés l'un par rapport à l'autre par le pas (P) du motif de réserve (43) ; et dans une seconde étape d'exposition, les motifs de masque (31) sont à nouveau transférés vers la pièce à travailler (W) au moyen d'une exposition. プロキシミティ露光方法は、レジスト（Ｒ）の解像限界以下である最小ピッチ（Ｐ）を有するレジストパターン（４３）に対して、レジスト（Ｒ）の解像限界より大きいマスクパターン（３１）が形成されるマスク（Ｍ）を準備し、第１露光工程でマスクパターン（３１）をワーク（Ｗ）に露光転写した後、マスク（Ｍ）とワーク（Ｗ）とをレジストパターン（４３）のピッチ（Ｐ）分だけ相対的にステップ移動させて、第２露光工程でマスクパターン（３１）をワーク（Ｗ）に再度露光転写する。