INTEGRATED SYSTEM AND METHOD FOR SOURCE/DRAIN ENGINEERING

Implementations described herein generally provide a method of processing a substrate. Specifically, the methods described are used for cleaning and etching source/drain regions on a silicon substrate in preparation for precise Group IV source/drain growth in semiconductor devices. Benefits of this disclosure include precise fin size control in devices, such as 10nm FinFET devices, and increased overall device yield. The method of integrated clean and recess includes establishing a low pressure processing environment in the processing volume, and maintaining the low pressure processing environment while flowing a first gas over a substrate in a processing volume, depositing a salt on the substrate, heating the processing volume to greater than 90°C, purging the processing volume with a second inert gas, and recessing a source/drain region disposed on the substrate. Des modes de réalisation de la présente invention concernent de manière générale un procédé de traitement d'un substrat. En particulier, les procédés décrits sont utilisés pour nettoyer et graver des régions de source/drain sur un substrat de silicium en préparation pour la croissance précise de source/drain de groupe IV dans des dispositifs à semi-conducteur. Les avantages de la présente invention comprennent une commande précise de la taille des ailettes dans des dispositifs, tels que des dispositifs FinFET de 10 nm, et un rendement global du dispositif accru. Le procédé de nettoyage et d'évidement intégrés consiste à établir un environnement de traitement à basse pression dans l'espace de traitement, et à maintenir l'environnement de traitement à basse pression tout en faisant circuler un premier gaz sur un substrat dans un espace de traitement, à déposer un sel sur le substrat, à chauffer l'espace de traitement à une température supérieure à 90°C, à purger l'espace de traitement au moyen d'un second gaz inerte, et à évider une région de source/drain disposée sur le substrat.