COMPOSITION FOR FORMING RESIST LOWER-LAYER FILM, RESIST LOWER-LAYER FILM AND METHOD FOR FORMING SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING PATTERNED SUBSTRATE

The purpose of the present invention is to provide: a composition for forming a resist lower-layer film that allows the formation of a resist lower-layer film with outstanding flatness and outstanding solvent resistance and etching resistance; a resist lower-layer film and a method for forming the resist lower-layer film; and a method for manufacturing a patterned substrate. The present invention is a composition for forming a resist lower-layer film that contains a solvent and a first compound that includes an oxazine ring fused to an aromatic ring. It is preferable for the first compound to have a partial structure represented by formula (1). In formula (1), R2-R5 are each independently a hydrogen atom or a monovalent organic group with a carbon number of 1-20. Ar1 is a group in which hydrogen atoms on (n + 3) or (n + 2) aromatic rings are excluded from an arene with a carbon number of 6-20. R6 is a hydroxy group, a halogen atom, a nitro group, or a monovalent organic group with a carbon number of 1-20. n is an integer between 0-9. Le but de la présente invention est de fournir : une composition permettant de former un film de couche inférieure de réserve qui permet la formation d'un film de couche inférieure de réserve présentant une planéité remarquable et une remarquable résistance aux solvants et une excellente résistance à la gravure ; un film de couche inférieure de réserve et un procédé de formation du film de couche inférieure de réserve ; et un procédé de fabrication d'un substrat à motifs. La présente invention concerne une composition permettant de former un film de couche inférieure de réserve qui contient un solvant et un premier composé qui comprend un cycle oxazine fusionné à un cycle aromatique. Il est préférable que le premier composé ait une structure partielle représentée par la formule (1). Dans la formule (1), R2 à R5 sont chacun indépendamment un atome d'hydrogène ou un groupe organique monovalent ayant de 1 à 20 atomes de carbone. Ar1 est un groupe dans lequel des atomes d'hydrogène sur des cycles aromatiques (n + 3) ou (n + 2) sont exclus d'un arène ayant de 6 à 20 atomes de carbone. R6 est un groupe hydroxy, un atome d'halogène, un groupe nitro, ou un groupe organique monovalent ayant de 1 à 20 atomes de carbone. n est un nombre entier compris entre 0 et 9. 平坦性に優れると共に溶媒耐性及びエッチング耐性に優れるレジスト下層膜を形成できるレジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びその形成方法並びにパターニングされた基板の製造方法の提供を目的とする。本発明は、芳香環に縮合したオキサジン環を有する第１化合物と、溶媒とを含有するレジスト下層膜形成用組成物である。上記第１化合物は、下記式（１）で表される部分