CIRCUIT BOARD AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF

Leiterplatte (10, 10', 10'') mit mindestens einer isolierenden Substratlage (SL1, SL2, SL3, S14, SL5) und einer Mehrzahl von auf der mindestens einen isolierenden Substratlage (SL1, SL2, SL3, S14, SL5) angeordneten elektrisch leitenden Kupferschichten (C1, C2, C3), wobei mindestens eine der elektrisch leitenden Kupferschichten (C1, C2, C3) zumindest beidseitig mit einer Schicht (HS1, HS2, HS3) aus einem Material zur Hemmung von Elektromigration beschichtet ist, wobei auf einer Schicht (HS1, HS2) aus einem Material zur Hemmung von Elektromigration eine weitere Metallschicht (M1, M2, M3, M3') vorgesehen ist, die wiederum mit einer weiteren Schicht (HS3, HS3') aus einem Material zur Hemmung von Elektromigration beschichtet ist. The invention relates to a circuit board (10, 10', 10'') comprising at last one insulating substrate layer (SL1, SL2, SL3, S14, SL5) and a plurality of electrically conductive copper coats (C1, C2, C3) arranged on the at least one insulating substrate layer (SL1, SL2, SL3, S14, SL5), wherein at least one of the electrically conductive copper coats (C1, C2, C3) is coated at least on both sides with a layer (HS1, HS2, HS3) made of a material for inhibiting electromigration, wherein on a layer (HS1, HS2) made of a material for inhibiting electromigration a further metal layer (M1, M2, M3, M3') is provided, which is in turn coated with a further layer (HS3, HS3') made of a material for inhibiting electromigration. L'invention concerne une carte de circuit imprimé (10, 10', 10'') comprenant au moins une couche de substrat isolante (SL1, SL2, SL3, S14, SL5) et une pluralité de couches de cuivre électriquement conductrices (C1, C2, C3) disposées sur l'au moins une couche de substrat isolante (SL1, SL2, SL3, S14, SL5). Au moins une des couches de cuivre électriquement conductrices (C1, C2, C3) est revêtue au moins des deux côtés d'une couche (HS1, HS2, HS3) de matière destinée à inhiber l'électromigration. Une autre couche métallique (M1, M2, M3, M3') est prévue sur une couche (HS1, HS2) de matière destinée à inhiber l'électromigration, laquelle autre couche métallique est revêtue à son tour d'une autre couche (HS3, HS3') de matière destinée à inhiber l'électromigration.