RESISTIVITY STANDARD SAMPLE MANUFACTURING METHOD AND EPITAXIAL WAFER RESISTIVITY MEASURING METHOD

The present invention provides a resistivity standard sample manufacturing method comprising: a step of preparing a first conductivity-type silicon single-crystalline substrate; a step of measuring, using a thickness measuring device traceable to a national standard, the thickness of the silicon single-crystalline substrate; a step of fabricating an epitaxial wafer having a p-n junction by growing a second conductivity-type silicon epitaxial layer on the silicon single-crystalline substrate; a step of measuring the thickness of the epitaxial wafer using the thickness measuring device traceable to the national standard; a step of determining the thickness of the silicon epitaxial layer from the thicknesses of the epitaxial wafer and the silicon single-crystalline substrate; and a step of measuring the resistivity of the silicon epitaxial layer using a resistivity measuring device traceable to a resistivity standard substance. The resistivity standard sample manufacturing method enables the manufacture of a resistivity standard sample that is traceable to the resistivity standard substance, such as NIST. La présente invention concerne un procédé de fabrication d'échantillon étalon de résistivité comprenant : une étape de préparation d'un substrat de silicium monocristallin de premier type de conductivité; une étape de mesure, à l'aide d'un dispositif de mesure d'épaisseur traçable à un étalon national, de l'épaisseur du substrat de silicium monocristallin; une étape de fabrication d'une tranche épitaxiale ayant une jonction p-n par augmentation d'une couche épitaxiale de silicium de second type de conductivité sur le substrat de silicium monocristallin; une étape de mesure de l'épaisseur de la tranche épitaxiale à l'aide du dispositif de mesure d'épaisseur traçable à l'étalon national; une étape de détermination de l'épaisseur de la couche épitaxiale de silicium à partir des épaisseurs de la tranche épitaxiale et du substrat de silicium monocristallin; et une étape de mesure de la résistivité de la couche épitaxiale de silicium à l'aide d'un dispositif de mesure de résistivité traçable à une substance étalon de résistivité. Le procédé de fabrication d'échantillon étalon de résistivité permet de fabriquer un échantillon étalon de résistivité qui est traçable à la substance étalon de résistivité, telle que NIST. 本発明は、第１導電型シリコン単結晶基板の準備工程と、国家標準へのトレーサビリティーのある厚さ測定機器を用いてシリコン単結晶基板の厚さを測定する工程と、第２導電型シリコンエピタキシャル層をシリコン単結晶基板上に成長してｐ－ｎ接合を有するエピタキシャルウェーハを作製する工程と、国家標準へのトレーサビリテ