ALIGNMENT MARK RECOVERY METHOD AND LITHOGRAPHIC APPARATUS

The invention relates to a method for recovering alignment marks in a mark layer of a substrate, comprising the steps of: a) providing a substrate with a mark layer covered by a resist layer; b) forming alignment marks in the mark layer, wherein an alignment mark is formed by: exposing the resist layer to a patterned radiation beam thereby forming an alignment pattern in a mark area of the resist; c) forming one or more recovery marks in the mark layer, wherein a recovery mark is formed by: - exposing the resist layer to at least a portion of the patterned radiation beam thereby forming an alignment pattern in a mark area of the resist; and - subsequently exposing the mark area of the resist, each time with a shifted patterned radiation beam until a substantial part of the mark area has been exposed. La présente invention concerne un procédé de récupération de marques d'alignement dans une couche de marques d'un substrat, comprenant les étapes de : a) fourniture d'un substrat avec une couche de marque recouverte d'une couche de résine photosensible ; b) formation de marques d'alignement dans la couche de marques, une marque d'alignement étant formée par : exposition de la couche de résine photosensible à un faisceau de rayonnement à motif, de manière à former un motif d'alignement dans une zone de marque de la résine photosensible ; c) formation d'une ou plusieurs marques de récupération dans la couche de marques, une marque de récupération étant formée par : - exposition de la couche de résine photosensible à au moins une partie du faisceau de rayonnement à motif de façon à former un motif d'alignement dans une zone de repère de la résine photosensible ; et - ensuite, exposition de la zone de marques de la résine photosensible, chaque fois avec un faisceau de rayonnement à motif décalé jusqu'à ce qu'une partie substantielle de la zone de marques ait été exposée.